| 申请专利号 |
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专利申请日 |
2003.06.20 |
| 名称 |
氘通量自持发热方法及装置 |
公开（公告）号 |
1461013 |
| 公开（公告）日 |
2003.12.10 |
颁证日 |
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| 优先权 |
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申请（专利权） |
清华大学 |
| 地址 |
100084北京市北京100084-82信箱 |
发明（设计）人 |
李兴中 |
| 国际申请 |
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国际公布 |
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| 专利代理机构 |
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代理人 |
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| 本发明公开了一种属于能源技术领域的氘通量自持发热方法及装置。所述方法是在钯片两侧保持氘气压力差，利用氘通量在特定温度处出现的峰形分布，再加上氘通量的发热效应，使钯片在升温接近氘通量取峰值的温度时，通过正反馈使钯片上的温度迅速升温，让大部分钯片的温度高于氘通量峰值温度，进入氘通量峰值的高温侧，由于高温侧是负反馈运行区，使钯片保持在自持发热的运行状态，实现高强度的热源。其装置主要含有稳定氘气源氘气室，发热体钯片，真空室及加热元件，测控仪表，红外线观测窗，真空机组。本发明的技术方案可行，特别是燃料来源于海水，丰富而无污染。其装置结构简单，总发热功率大小可调，适于各种产业化的规模。 |
| 专利主权项
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| 1、氘通量自持发热方法，它采用气态充氘法，其特征在于：所述方法是在钯片两侧保持一定的氘气压力差，利用氘通量在特定温度处出现的峰形分布，再加上氘通量的发热效应，使钯片在升温接近氘通量取峰值的温度时，通过正反馈，使钯片上的温度迅速升温，让大部分钯片的温度高于氘通量峰值温度，进入氘通量峰值的高温侧，由于高温侧是负反馈运行区，即此区内钯片温度变低时，发热自动增强，在钯片上形成自持的温度分布，使钯片保持在自持发热的运行状态，实现高强度的热源。 |
