| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 一种间接耦合的硅光敏器件 | CN85100228 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 两色分波硅彩色传感器 | CN85100237 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 台面半导体器件玻璃钝化工艺 | CN85100410 | 山东师范大学 | 山东省济南市文化东路 |
| 复合热释电红外探测器 | CN85100519 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 上海市中山北一路４２０号 |
| 一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置 | CN85100531 | 复旦大学 | 上海市邯郸路２２０号 |
| 变折射率薄膜的单源真空沉积法 | CN85100569 | 东南大学 | 江苏省南京市四牌楼二号 |
| 致密－多孔－致密夹心复合压电陶瓷及其工艺 | CN85100703 | 中国科学院声学研究所 | 北京市海淀区中关村路５号 |
| 制造半导体集成电路的隔离方法 | CN85100998 | 北京电子一厂 | 北京市东郊陈各庄 |
| 太阳电池组件 | CN85101253 | 夏普公司 | 日本国大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 半导体基片 | CN85101284 | 夏普公司 | 日本国大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 稳压二极管 | CN85101319 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目６番 |
| 太阳电池组件用接线盒 | CN85101326 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 太阳电池装置 | CN85101373 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 带有ＭＩＳ（金属－绝缘体－半导体）集成电容器的单片集成电路 | CN85101388 | 德国ＩＴＴ工业有限公司 | 联邦德国．弗赖布尔格 |
| 具有控制电极的半导体器件 | CN85101390 | 株式会社日立制作所 | 日本东京千代田区神田骏河台四丁目６番 |
| 无铅电致伸缩材料 | CN85101594 | 中山大学 | (510000)广东省广州市新港西路 |
| 用在数字式电子仪器方面的集成电路 | CN85101635 | 索尼公司 | 日本亍东京都品川区品川６丁目７番３５号 |
| 包含互补场效应晶体管的集成电路 | CN85101787 | 菲利浦电子有限公司 | 荷兰艾恩德霍芬哥纳云特斯道一号 |
| 在局部提供沉陷氧化层的硅半导体器件制造方法 | CN85101827 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰 爱恩德霍芬 |
| 对模糊理象不敏感的图象传感器及其制造方法 | CN85101868 | 菲利普光灯制造厂 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 电荷耦合器件 | CN85102150 | 菲利浦光灯制造厂 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 半导体集成电路板的冷却设备 | CN85102328 | 日立制作所株式会社 | 日本国东京都千代田区 |
| 太阳能电池密封组件的结构 | CN85102909 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府门真市大字门真１００６番地 |
| 抗辐射半导体器件 | CN85103269 | 株式会社日立制作所 | 日本国东京都千代田区神田骏河台四丁目６番地 |
| 光电池 | CN85103355 | 三洋电机株式会社 | 日本．大阪 |
| 半导体器件及装置 | CN85103373 | 美国标准电气公司 | 美国纽约州纽约市公园３２０号 |
| 动态随机存取存贮器单元（ｄｒａｍ）和生产方法 | CN85103376 | 得克萨斯仪器公司 | 美国．得克萨斯州 |
| 半导体器件的制造方法 | CN85103578 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰．艾恩德霍芬 |
| 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管 | CN85103742 | 斯托弗化学公司 | 美国纽约１０５２２多布斯，费里 |
| 制造高灵敏度光敏三极管的方法 | CN85103782 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 高密度动态随机存取存储器的槽式电容的制造方法 | CN85103830 | 特克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州 |
| 具有金属反射腔的半导体平面发光器件 | CN85104012 | 复旦大学 | 上海市邯郸路２２０号 |
| 在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒 | CN85104043 | 斯托弗化学公司 | 美国纽约１０５２２多布斯费里 |
| 湿敏元件及其制造法 | CN85104273 | 株式会社岛津制作所 | 日本京都市中京区河原町通二条 |
| 低压电可编程序只读存储器 | CN85104497 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程 | CN85104551 | 英特尔公司 | 美国．加利福尼亚州 |
| 带动态控制的电荷耦合半导体器件 | CN85104640 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 金属，氧化物半导体后部工艺 | CN85104650 | 英特尔公司 | 美国加里福尼亚州 |
| 在光电器件中为波导所用的磷族元素化物的膜 | CN85104652 | 斯托弗化学公司 | 美国康涅狄格州西港 |
| 一个用于高速开关装置的半导体模件 | CN85104913 | 安东．皮勒合资有限公司 | 联邦德国 哈茨山 |
| 耐热簿膜光电转换器 | CN85104921 | 钟渊化学工业株式会社 | 日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目２番４号 |
| 一种制造电子器件的方法 | CN85104934 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本国东京都世田谷区北鸟山７丁目２１番２１号 |
| 半导体集成电路和为其设计电路图形的方法 | CN85104935 | 富士通株式会社 | 日本国２１１神奈川县．川崎市．中原区．上小田中．１０１５ |
| 半导体器件及其制造 | CN85104952 | 标准电话电报公共有限公司 | 英国伦敦 |
| 可控制接通的硅可控整流器 | CN85105483 | 通用电气公司 | 美国纽约 |
| 制造半导体器件的装置及其使用方法 | CN85106110 | 株式会社东芝 | 日本国神奈川县川崎市 |
| 光生伏打器件及其制造方法 | CN85106598 | 三洋电机株式会社 | 日本国大阪府守口市京阪本通２丁目１８番地 |
| 高热稳定性的功率器件的封装方法 | CN85106736 | 北京工业大学 | 北京市东郊九龙山 |
| 功率器件的封装方法 | CN85106739 | 北京工业大学 | 北京市东郊九龙山 |
| 具有高击穿电压的半导体器件 | CN85106895 | 株式会社东芝 | 日本国神奈川县川崎市 |
| 用于算术运算和显示的集成电路 | CN85106930 | 株式会社东芝、托斯巴克计算机系统有限公司 | 日本神奈川县川崎市 |
| 无掩模被覆金属的方法 | CN85107549 | 国际商用机器公司 | 美国纽约州１０５０４阿蒙克 |
| 富含镉的Ｈｇ－ｘｃｄ．Ｔｅ的薄层异质结光电池和Ｈｇ１－ｘｃｄｘＴｅ的电沉积法 | CN85107575 | 索布奥商业发展公司、英国石油光电设备制造有限公司 | 美国．俄亥俄州．克利夫兰 |
| 具有引腿向后兼容性和功能向前可扩性的大规模集成电路微处理机组件 | CN85107587 | 霍尼韦尔布尔公司 | 美国 马萨诸塞州 ０２１５４ 沃尔瑟姆 |
| 多结半导体器件 | CN85107988 | 钟渊化学工业株式会社 | 日本大阪府大阪市北区中之岛３丁目２番４号 |
| 水平结构晶体管及其制作方法 | CN85108008 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州７５２６５．达拉斯邮政信箱２２５４７４ |
| 半导体器件 | CN85108134 | 索尼公司 | 日本东京都品川区北品川６丁目７番３５号 |
| 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置 | CN85108189 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 荷兰．艾恩德霍芬．格陵纽沃德斯路１号 |
| 程序可控半导体结构及其编制程序法 | CN85108221 | 能源转换装置公司 | 美国密执安州４８０８４特洛伊 |
| 有自测试能力的超大规模集成电路 | CN85108326 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州７５２６５．达拉斯市．北中埃克斯普勒斯韦路＊ |
| 半导体集成电路器件及其制造工艺 | CN85108671 | 株式会社日立制作所 | 日本国东京都 |
| 互补半导体器件 | CN85108969 | 株式会社日立制作所 | 日本国东京都 |
| 薄膜晶体管的制作方法 | CN85109088 | 索尼公司 | 日本国东京都品川区北品川６丁目７番３５号 |
| 碳化硅（ＳｉＣ）二极管温度传感器 | CN85109140 | 湖北省襄樊市机电研究所、国家建材工业局建筑材料科学研究院玻璃科学研究所 | 湖北省襄樊市长征路１５８号 |
| 缓变晶格外延层的生长 | CN85109212 | 麦尔文．西莫尔．库克 | 美国新泽西州．萨迪利河 |
| 杂质的扩散方法 | CN85109319 | 索尼公司 | 日本东京品川区北品川６丁目７番３５号 |
| 半刚性光电模块组件及其结构支撑 | CN85109335 | 标准石油公司 | 美国．俄亥俄州．克利夫兰．米德兰大厦 |
| 太阳电池相互电连接的方法 | CN85109495 | 无比太阳能公司 | 美国马萨诸塞州 |
| 制造半导体器件的方法 | CN85109507 | 索尼公司 | 日本国东京都品川区北品川６丁目７番３５号 |
| 含有各种不同容量电容的集成电路 | CN85109668 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 荷兰．艾恩德霍芬．格陵纽沃德路１号 |
| 电子器件及其制造方法 | CN85109696 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本国东京都 |
| 制造半导体集成电路器件的方法 | CN85109742 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都 |
| ＣＭＯＳ型集成流量传感器 | CN85200263 | 南京工学院 | 江苏省南京市四牌楼２号 |
| 一种适于宽温区温度测量和控温用的敏感元件 | CN85200309 | 中国科学院物理研究所 | 北京６０３信箱 |
| 半导体基片 | CN85201474 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 太阳电池装置 | CN85201477 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 太阳电池组件用接线盒 | CN85201478 | 夏普公司 | 日本国大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 太阳电池组件 | CN85201479 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
| 在硅膜中心部位设置四端单元件的力敏器件 | CN85201923 | 复旦大学 | 上海市邯郸路２２０号 |
| 带有保护膜的硅抛光片与外延片 | CN85203385 | 河北工学院 | 天津市红桥区丁字沽一号路 |
| 湿法腐蚀装置 | CN85203849 | 航天工业部七七一研究所 | 陕西省临潼县１９号信箱 |
| 超高频大功率晶体管的金属气密管壳 | CN85204479 | 山东大学 | 山东省济南市郊区洪家楼５号 |
| 超 F 型高频大功率晶体管管壳 | CN85204502 | 山东大学 | 山东省济南市郊区洪家楼５号 |
| ＣＭＯＳ 恒温集成流量传感器 | CN85204747 | 南京工学院 | 江苏省南京市四牌楼２号 |
| 自动传送片机构 | CN85204855 | 中国科学院上海冶金研究所 | 上海市长宁路８６５号 |
| 太阳能电池阵列 | CN86100381 | 得克萨斯仪器股份有限公司 | 美国得克萨斯州７５２５６达拉斯邮政信箱２２５４７４ M／Ｓ２１９ |
| 半导体集成电路 | CN86100522 | 三洋电机株式会社、东京三洋电机株式会社 | 日本大阪府守口市 |
| 抛光法Ｕ形槽隔离技术 | CN86100527 | 中国科学院上海冶金研究所 | 上海长宁路８６５号 |
| 双极晶体管 | CN86100558 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府守口市京阪本通２丁目１８番地 |
| 半导体集成电路器件及其制造方法 | CN86100841 | 株式会社日立制作所 | 日本 东京 |
| 半导体芯片附着装置 | CN86101652 | 奥林公司 | 美国伊利诺伊州６２０２４ |
| 单块数字集成电路 | CN86101674 | 德国ＩＴＴ工业有限公司 | 联邦德国弗赖堡７８００ |
| 半导体器件 | CN86101884 | ＩＴＴ工业公司 | 美国．纽约 1００２２ |
| 电阻—氧化物—半导体场效应晶体管 | CN86101937 | 江西大学 | 江西省南昌市南京东路１７号 |
| 绝缘体结构上的硅互联埋层 | CN86102300 | 英特尔公司 | 美国．加利福尼亚州．圣克拉拉．鲍尔斯街３０６５号 |
| 制造快速晶闸管的扩金新工艺 | CN86102417 | 机械工业部西安整流器研究所 | 陕西省西安市西安整流器研究所 |
| 半导体汽化冷却装置 | CN86102472 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目６番 |
| 减少双极器件的管道漏电和表面漏电的方法 | CN86102476 | 天津大学 | 天津市南开区七里台 |
| 一种等离子阳极化方法 | CN86102538 | 华东师范大学 | 上海普陀区中山北路３６６３号 |
| 具有金属涂料电极的太阳电池 | CN86102568 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町２２－２２ |
